Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7150R/6450W MB/s

Основное

Модель

MZ-V9V1T0BW

Назначение

для ноутбуков/компьютеров

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Память

Номинальный объем, ГБ

1000

Тип памяти

3D NAND TLC

Интерфейсы и разъёмы

Версия NVMe

2.0

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4

Интерфейс

PCI-E

Поддержка NVMe

Да

Габариты и комплектация

Вес, кг

0.09

Высота, мм

22.15

Комплект поставки

Накопитель, документация

Вес, г

9

Прочее

Гарантия, мес.

12

Максимальная скорость записи, МБ/с

6450

Максимальная скорость чтения, МБ/с

7150

Партномер

MZ-V9V1T0BW

Серия продукции

990 EVO

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS

700

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS

1100

Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.

1500

Температура эксплуатации

0...+70C

Толщина, мм

2.38

Ударостойкость

1500G/0.5мс

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Штрихкод

8806099020699

Энергопотребление при работе, max, Вт, Вт, max

4